大面積碳化硅陶瓷膜層化學氣相沉積（CVD）技術
光刻機等集成電路關鍵制造裝備中某些高性能光學元件對材料制備有著苛刻的要求，不僅要求材料具有高的穩定性，還需滿足某些特定的光學性能要求。反應燒結碳化硅經拋光后其面型精度高，但是該材料是由碳化硅和游離硅組成的兩相材料，在研磨拋光等過程各相的去除速率不一致，無法達到更高的面型精度，因此無法滿足特定光學部件性能要求。
采用反應燒結碳化硅基體結合化學氣相沉積碳化硅(CVDSiC)膜層的方法制備高性能反射鏡，通過優化先驅體種類、沉積溫度、沉積壓力、反應氣體配比、氣體流場、溫度場等關鍵工藝參數，可實現大面積、均勻CVDSiC膜層的制備，使反射鏡鏡面精度可接近國外同類產品性能指標。
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