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- 碳化硅的應用領域有哪些？[ 11-30 16:21 ]
- 碳化硅的應用領域主要分為高溫應用領域、加熱與熱交換工業領域、腐蝕環境下的應用、磨削領域、耐磨損機械領域、有色冶金領域、水泥生產領域、過濾領域、國防軍工及航空航天領域、光學應用領域、半導體領域的應用、核工業領域等。而具體的應用形式主要包括以下幾個方面。
- 常見的結構陶瓷及其應用領域盤點[ 11-04 17:18 ]
- 先進陶瓷按種類可分為結構陶瓷和功能陶瓷。功能陶瓷主要基于材料的特殊功能，具有電氣性能、磁性、生物特性、熱敏性和光學特性等特點，主要包括絕緣和介質陶瓷、鐵電陶瓷、壓電陶瓷、半導體及其敏感陶瓷等；結構陶瓷主要基于材料的力學和結構用途，具有高強度、高硬度、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化等特點，主要用于切削工具、模具、耐磨零件、泵和閥部件、發動機部件、熱交換器、生物部件和裝甲裝備等，主要材料有氮化硅、碳化硅、二氧化鋯、碳化硼、二硼化鈦、氧化鋁和賽隆等。
- 金蒙新材精益表彰和成果展示[ 11-03 16:05 ]
- 金秋10月，大地迎來豐收的季節，同樣的金蒙也在10月份精益改善中取得了巨大的成果，邁步走進11月公司對10月份表現突出的員工進行表彰激勵。
- 碳化硅、白剛玉等磨料微粉是如何進行顆粒整形？[ 11-02 16:00 ]
- 隨著新材料產業的發展、傳統產業的技術進步和產品升級，工業生產中對粉體原料提出越來越高的要求
- 您知道金蒙公司員工待遇如何嗎？[ 10-31 09:30 ]
- 山東金蒙新材料公司從事生產黑、綠碳化硅粒度砂、微粉及白剛玉20余年，一直從事精益生產，
- 光電儲能領域中應用優勢明確，碳化硅器件滲透率快速提升[ 10-15 17:03 ]
- 光伏、風電和儲能逆變器曾普遍采用硅器件，經過40多年的發展，轉換效率和功率密度等已接近理論極限?；诠杌骷膫鹘y逆變器成本約占系統10%左右，卻是系統能量損耗的主要來源之一。碳化硅器件可應用于風電整流器、逆變器、變壓器，降低能損和提高效率的同時可以使得質量和成本分別減少25%和50%。 儲能產業鏈發展布局，碳化硅市場空間進一步打開。隨著光電、風電等具有間接性、波動性等特點的可再生資源占比逐步提升，社會對能源穩定性提出了更高要求，儲能成為解決能源波動性問題和電力系統供需匹配問題的關鍵，具有巨大市場潛力，碳化硅
- 電動車領域新應用不斷出現，汽車廠商積極啟用碳化硅戰略[ 10-14 16:02 ]
- 電動汽車行業是市場空間巨大的新興市場，隨著電動汽車的發展，對功率半導體器件需求量日益增加。 電動車規模上量800V高壓快充平臺，平臺搭載碳化硅共同發力。隨著續航問題逐漸成為電動車發展的重心，高壓快充已是大勢所趨，利于充電性能和整車運行效率大幅提升的800V快充平臺加速布局，其研發對電機的絕緣性和耐高溫性提出了較高要求，相比于已達到材料極限的硅基IGBT，碳化硅憑借其體積小、耐高溫和耐高壓的優勢，更有利于提升空間利用率與功率效率，具有更高綜合效益。 800V高壓快充平臺發展受重，推動汽車續航與整車效率提高
- 高壓高功率領域優勢突出，SIC功率器件市場廣闊[ 10-13 17:00 ]
- 碳化硅功率器件替代優勢明顯，在高壓高功率領域性能強勁。功率器件是電力電子行業的重要基礎元器件之一，作用是實現對電能的處理、轉換和控制，主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優勢，根據科銳和應用材料公司官網數據顯示，相較于硅基功率器件，碳化硅基MOSFET尺寸可以減少為同電壓硅基MOSFET的十分之一，能量損耗可以減少為同開關頻率硅基IGBT的30%。 SiC功率器件下游應用廣泛，市場快速放量。得益于優異的能源轉換效率，碳化
- 北方華創：SiC長晶爐設備領域龍頭[ 10-12 14:26 ]
- 據慧博資訊公眾號介紹：北方華創公司主要從事半導體基礎產品的研發、生產、銷售和技術服務，主要產品為電子工藝裝備和電子元器件，是國內主流高端電子工藝裝備供應商，也是重要的高精密電子元器件生產基地。經過多年的發展，公司在電子工藝裝備及電子元器件領域構建了堅實的技術基礎，形成了以共性核心技術為基礎、產品種類多、應用領域廣的平臺型業務體系，打造了專業的技術和管理團隊，具有較強的核心競爭能力。8寸碳化硅長晶爐已完成研發，并進入客戶端，碳化硅長晶爐設備訂單飽滿，預計2022年出貨將超500臺，已成為國內主流客戶的首選產品。
- 露笑科技：碳化硅襯底產能加速擴張[ 10-11 11:02 ]
- 據慧博資訊公眾號介紹：露笑科技公司是國內最早研發6英寸SiC晶圓的單位之一，已掌握碳化硅單晶晶體生長、切割、研磨、拋光、清洗等整體解決技術和工藝方案。2021年，公司募投“第三代功率半導體(碳化硅)產業園項目”和“和大尺寸碳化硅襯底片研發中心項目”，計劃形成產能24萬片/年生產線；2022年，公司6英寸碳化硅襯底芯片已形成銷售，預計年底產能達5000片/月，2023年產能達20萬片/年。
- 東尼電子：SiC襯底產能迅速擴張，加速國產化進程[ 10-10 17:00 ]
- 據慧博資訊公眾號介紹：東尼電子公司從2017年開始儲備研發碳化硅項目，由葉國偉博士和張忠杰博士牽頭，技術由企業自主研發并已獲得認可，打樣送檢結果良好。2021年，公司總投資4.69億元，聚焦碳化硅半導體材料生產，計劃達產12萬片/年，目前已有50余臺長晶爐完成安裝調試，約100臺長晶爐正在安裝調試階段，上述長晶爐及配套切磨拋設備全部安裝完成后，預計形成6萬片/年的產能。
- 士蘭微：IDM龍頭，快速上量SiC芯片生產線[ 10-09 15:57 ]
- 據慧博資訊公眾號介紹：士蘭微公司作為IDM龍頭廠商，具有12英寸特色工藝產線，目前已加大SiC器件研發投入，快速上量SiC芯片生產線，大力發展車規級SiC功率半導體。2021年，公司SiC功率器件中試線通線，目前已完成車規級SiCMOSFET器件研發，即將進行客戶驗證并投入量產；2022年7月，公司擬投資15億元建設SiC功率器件生產線，聚焦于新能源汽車電動模塊車規級SiC功率器件生產，計劃形成年產產能14.4萬片6英寸SiC功率器件芯片生產線。此外，公司在廈門士蘭明鎵公司所建設的6英寸SiC功率器件芯片生產線預計
- 時代電氣：奮力邁進SiC自主研發道路，高壓電驅平臺突破[ 10-08 14:52 ]
- 據慧博資訊公眾號介紹：時代電器公司建有6英寸雙極器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的產業化基地，掌握了具有核心自主知識產權的MOSFET芯片及SBD芯片的設計與制造技術，構建了全套特色先進碳化硅工藝技術的4英寸及6英寸兼容的專業碳化硅芯片制造平臺，全電壓等級MOSFET及SBD芯片產品可應用于新能源汽車、軌道交通、工業傳動等多個領域。2021年，該公司推出碳化硅大功率電驅平臺C-Power220；2022年4月，公司實施碳化硅芯片生產線技術能力提升建設項目，總投資4.62億元，將公司平面柵碳化硅MOSFET芯片技術
- 天岳先進：SiC襯底提升速度快，獲得大規模訂單，有望進入車規應用[ 10-07 16:50 ]
- 據慧博資訊公眾號介紹：天岳先進掌握碳化硅襯底制作核心技術，批量供應下游核心客戶。2021年，公司募投項目“碳化硅半導體材料項目”投入建設，聚焦6英寸導電型碳化硅襯底材料生產，計劃2022年第三季度實現第一期項目投產，預計2026年達產且達產產能為30萬片/年；2022年4月，公司發布公告披露公司已通過IATF16949：2019車規級認證，公司有望進入車規領域，進一步拓展碳化硅產品在汽車領域的應用市場；2022年7月，公司發布關于簽訂重大合同公告，公司獲得約14億元6英寸導電型碳化硅襯底產品
- 斯達半導：SiC車規主驅模塊性能領先，加碼布局碳化硅功率芯片[ 10-06 10:46 ]
- 據慧博資訊公眾號介紹：斯達半導近期多次加碼布局碳化硅功率芯片。2021年8月公司宣布投資5億元在SiC芯片研發及產業化項目；2021年3月公司宣布投資20億元與高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發及產業化項目。斯達微電子目前在600V/650V、1200V、1700V等中低壓IGBT芯片已經實現國產化。擬采用先進技術和設備，實施SiC芯片研發及產業化項目，產品由企業自主研發，各項指標均達到國外同類產品技術要求，部分指標優于進口產品。公司用于新能源汽車的車規級SiC模塊獲國內外多家著名車企和Tier1客戶的項目定點，
- 三安光電：最大SiC投資，IDM現有工廠疊加襯底自供布局[ 10-05 15:42 ]
- 據慧博資訊公眾號消息：三安光電具備全國第一條碳化硅垂直整合產業鏈，在碳化硅下游市場取得多點突破。2019年，三安集成與美的成立第三代半導體聯合實驗室，聚焦GaN、SiC功率器件芯片與IPM應用電路相關研發；2020年，公司收購北電新材，拓展碳化硅襯底和外延市場；2021年，湖南三安半導體基地投產，總投資160億元，配套6英寸碳化硅達產產能36萬片/年，預計達產后實現銷售額120億元/年，2021年底產能3k片/月，預計2022年年底達產，此外，公司碳化硅MOSFET工業級產品已處于客戶驗證階段，碳化硅MOSFET車
- 平頂山半導體產業園開建，碳化硅半導體材料核心設備正式進場[ 10-04 16:37 ]
- 據微電子制造公眾號消息：9月28日，碳化硅半導體材料核心設備正式進場。這為碳化硅半導體材料示范線項目投產達效邁出了最關鍵一步。 半導體產業是國家重點支持的戰略性新興產業，碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料，具有高禁帶寬度、高電導率、高熱導率等優良性能，適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率的電子器件，在光電子和微電子、5G基站、新能源汽車、光伏、風電、高鐵、快充等領域有著很大應用潛力。 據介紹，碳化硅半導體材料項目投產后，將帶動周邊半導體品圓制造配套的上下游企業，包括石墨件深加工行業、半導體裝備行
- 基本半導體完成數億元C4輪融資，加速碳化硅規模產業化進程[ 10-03 10:34 ]
- 據新材料在線公眾號消息：日前，深圳基本半導體有限公司（下文簡稱“基本半導體”）宣布已完成數億元C4輪融資，本輪融資由德載厚資本、國華投資、新高地等機構聯合投資，以及現有股東屹唐長厚、中美綠色基金等機構繼續追加投資。 基本半導體表示，本輪融資將用于進一步加強碳化硅產業鏈關鍵環節的研發制造能力，提升產能規模，支撐碳化硅產品在新能源汽車、光伏儲能等市場的大規模應用，全方位提升基本半導體在碳化硅功率半導體行業的核心競爭力。 公開資料顯示，深圳基本半導體有限公司是一家專業從事碳化硅功率器件
- 黃河旋風碳化硅切割專用金剛線研制成功并投放市場[ 09-30 14:18 ]
- 近日，河南黃河旋風股份有限公司碳化硅切割專用金剛線鋸研發取得突破，經多家客戶使用，其產品性能已完全達到甚至超過日本同類產品水平，不論在切割效率、切割質量還是切割穩定性，均全面優于現有砂漿切割水平。 近年來，以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體產業發展迅猛，國家高度重視，企業積極布局，整個行業呈現爆發式的增長勢頭。碳化硅材料作為第三代半導體之一，具有優異的性能，同時也具有難加工的特點，其超高的硬脆性特點導致加工難度大、風險高、效率低、良品率不高，尤以切割為難點。目前市場上主要以金剛石砂漿切割為主，切割速度慢，效
- 從2英寸到8英寸 碳化硅晶片“芯”成本下降[ 09-29 16:13 ]
- 碳化硅器件市場增長背后，是十年來中國半導體企業從材料到裝備到芯片、器件的全鏈條布局。 在國內最大的碳化硅材料產業基地，一張張薄薄的碳化硅晶片一字排開，這些晶片厚度不足0.5毫米，直徑從2英寸、4英寸到8英寸，是先進的第三代半導體材料。 晶片的尺寸和質量，直接影響著下游的碳化硅器件的成本和性能。尺寸越大，成本就越低。十年前，中國電科旗下的這家企業對2英寸碳化硅晶片還處在研制階段，現在，已經實現了6英寸晶片的規?；a，年產能達到15萬片，處于國內前列。今年3月，這家企業還率先發布了新一代8英寸碳化硅晶片產
